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SI8467DB-T2-E1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 4-XFBGA，CSPBGA
數量：
 747  
說明：
 MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V
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SI8467DB-T2-E1-4-XFBGA，CSPBGA圖片

SI8467DB-T2-E1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
商標名：MICROFOOT TrenchFET
上升時間：45 ns
功率耗散：1.8 W
柵極電荷 Qg：6.9 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：6 S
下降時間：20 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.073 Ohms
漏極連續電流：- 3.7 A
閘/源擊穿電壓：- 1.5 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8467DB-T2-E1的詳細信息，包括SI8467DB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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