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SI8483DB-T2-E1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 6-Micro Foot?（1.5x1）
數量：
 4779  
說明：
 MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III
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SI8483DB-T2-E1-6-Micro Foot?（1.5x1）圖片

SI8483DB-T2-E1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：80 nS
上升時間：20 nS
功率耗散：13 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：43 nC
下降時間：20 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 1.5 x 1
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：26 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：- 16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8483DB-T2-E1的詳細信息，包括SI8483DB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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