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SI8487DB-T1-E1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 4-Microfoot
數量：
 4788  
說明：
 MOSFET -30V 31mOhm@10V 7.7A P-Ch G-III
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SI8487DB-T1-E1-4-Microfoot圖片

SI8487DB-T1-E1 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI8487DB-E1
典型關閉延遲時間：290 ns
上升時間：10 ns
功率耗散：2.7 W
柵極電荷 Qg：52 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：16 S
下降時間：60 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 1.6 x 1.6
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：31 mOhms at 10 V
漏極連續電流：7.7 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8487DB-T1-E1的詳細信息，包括SI8487DB-T1-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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