SI8489EDB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-UFBGA
數量：: 7797
說明：: MOSFET -20V 44mOhm@10V 5.4A P-Ch G-III

一、本商品被瀏覽0次.

SI8489EDB-T2-E1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
商標名：MICROFOOT TrenchFET
上升時間：20 ns
功率耗散：0.3 W to 0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 1 x 1
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：44 mOhms at 10 V
漏極連續電流：0.7 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8489EDB-T2-E1的詳細信息，包括SI8489EDB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：