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NTMD4820NR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 6615
說明：: MOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R

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NTMD4820NR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：4 ns
功率耗散：1280 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7.7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：21 S
下降時間：4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：20 mOhms
漏極連續(xù)電流：6.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMD4820NR2G的詳細信息，包括NTMD4820NR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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