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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:16 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:14 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :6 S
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.048 Ohms
漏極連續電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTMD4N03R2G的詳細信息,包括NTMD4N03R2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!