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中文參數(shù)如下:
功率耗散:1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:5 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.19 Ohms
漏極連續(xù)電流:1.4 A
閘/源擊穿電壓:15 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTMD6601NR2G的詳細(xì)信息,包括NTMD6601NR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!