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中文參數如下:
上升時間:22 ns
功率耗散:1.5 W
柵極電荷 Qg:36 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :10.5 S / 6 S
下降時間:8.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 85 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):9.5 mOhms
漏極連續電流:9 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTMD5836NLR2G的詳細信息,包括NTMD5836NLR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!