| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHB12N50C-E3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Channel 500V | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：12 A，電阻汲極/... | ||||||
|
SiHB12N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB15N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：15 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
SiHB16N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 977 | MOSFET N-Channel 500V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
|
|
SiHB22N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB22N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB22N60S-E3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET 600V N-Channel Superjunction D2PAK | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SiHB24N65E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB24N65E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SiHB30N60E-E3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Channel 600V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB30N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 972 | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB33N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 3,958 | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
|
SIHB8N50D-GE3 | Vishay Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
|
SiHD3N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電... | ||||||
|
|
SiHD5N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電... | ||||||
|
SIHD7N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：7 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
SIHD7N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 169 | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
|
SIHD7N60ET-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK (TO-252) | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
|
|
SIHD7N60ETL-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK (TO-252) | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：7 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
SIHD7N60ETR-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK (TO-252) | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：7 A，電阻汲極/源極... | ||||||
596/1299 首頁 上頁 [591] [592] [593] [594] [595] [596] [597] [598] [599] [600] [601] 下頁 尾頁
