SIHB12N60E-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數量：: 4482
說明：: MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

一、本商品被瀏覽0次.

SIHB12N60E-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：35 ns
上升時間：38 ns
功率耗散：147 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：58 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：3.8 S
下降時間：38 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK (TO-263)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：380 mOhms at 10 V
漏極連續電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHB12N60E-GE3的詳細信息，包括SIHB12N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：