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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:77 ns
上升時間:68 ns
功率耗散:227 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:75 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :9.4 S
下降時間:59 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:D2PAK-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.18 Ohms
漏極連續電流:21 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIHB22N60S-E3的詳細信息,包括SIHB22N60S-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!