SIHB33N60E-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 8530
說明：: MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

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SIHB33N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：150 ns
商標名：E-Series
上升時間：90 ns
功率耗散：278 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：150 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：11 S
下降時間：80 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：D2PAK (TO-263)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：99 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：33 A
閘/源擊穿電壓：4 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHB33N60E-GE3的詳細信息，包括SIHB33N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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