Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源,也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI8404DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 5 V,漏極連續... | ||||||
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SI8901DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | Micro Foot-6 | MOSFET 20V 4.4A 1.7W 60mohm @ 4.5V | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連... | ||||||
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SI8901EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?(2.36x1.56) | MOSFET 20V 4.4A 1.7W 60mohm @ 4.5V | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極... | ||||||
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SIHB12N50C-E3 | Vishay/Siliconix | D2PAK(TO-263) | MOSFET N-Channel 500V | ||
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續電流:12 A,電阻汲極/... | ||||||
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SiHB12N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | D2PAK(TO-263) | MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏... | ||||||
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SIHB15N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | D2PAK(TO-263) | MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,漏極連續電流:15 A,電阻汲極/源... | ||||||
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SiHB16N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB | 977 | MOSFET N-Channel 500V | |
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏... | ||||||
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SiHB22N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏... | ||||||
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SIHB22N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏... | ||||||
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SIHB22N60S-E3 | Vishay/Siliconix | D2PAK(TO-263) | MOSFET 600V N-Channel Superjunction D2PAK | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏... | ||||||
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SiHB24N65E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:650 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏... | ||||||
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SIHB24N65E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:650 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏... | ||||||
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SiHB30N60E-E3 | Vishay/Siliconix | D2PAK(TO-263) | MOSFET N-Channel 600V | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏... | ||||||
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SIHB30N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB | 972 | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | |
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏... | ||||||
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SIHB33N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB | 3,958 | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | |
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:4 V,漏極連續電流... | ||||||
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SiHD3N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 | MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續電... | ||||||
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SiHD5N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續電... | ||||||
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SIHD7N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,漏極連續電流:7 A,電阻汲極/源極... | ||||||
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SIHD7N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 | 169 | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | |
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:4 V,漏極連續電流... | ||||||
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SIHD7N60ET-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK (TO-252) | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:4 V,漏極連續電流... |
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