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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源,也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看SI8404DB-T1-E1參考圖片 SI8404DB-T1-E1 Vishay/Siliconix 4-Microfoot MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 5 V,漏極連續...
點擊查看SI8901DB-T2-E1參考圖片 SI8901DB-T2-E1 Vishay/Siliconix Micro Foot-6 MOSFET 20V 4.4A 1.7W 60mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI8901EDB-T2-E1參考圖片 SI8901EDB-T2-E1 Vishay/Siliconix 6-Micro Foot?(2.36x1.56) MOSFET 20V 4.4A 1.7W 60mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIHB12N50C-E3參考圖片 SIHB12N50C-E3 Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Channel 500V
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續電流:12 A,電阻汲極/...
點擊查看SiHB12N60E-GE3參考圖片 SiHB12N60E-GE3 Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIHB15N60E-GE3參考圖片 SIHB15N60E-GE3 Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,漏極連續電流:15 A,電阻汲極/源...
點擊查看SiHB16N50C-E3參考圖片 SiHB16N50C-E3 Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 977 MOSFET N-Channel 500V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點擊查看SiHB22N60E-E3參考圖片 SiHB22N60E-E3 Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIHB22N60E-GE3參考圖片 SIHB22N60E-GE3 Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIHB22N60S-E3參考圖片 SIHB22N60S-E3 Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET 600V N-Channel Superjunction D2PAK
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SiHB24N65E-E3參考圖片 SiHB24N65E-E3 Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:650 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIHB24N65E-GE3參考圖片 SIHB24N65E-GE3 Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:650 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SiHB30N60E-E3參考圖片 SiHB30N60E-E3 Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Channel 600V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIHB30N60E-GE3參考圖片 SIHB30N60E-GE3 Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 972 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIHB33N60E-GE3參考圖片 SIHB33N60E-GE3 Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 3,958 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:4 V,漏極連續電流...
點擊查看SiHD3N50D-GE3參考圖片 SiHD3N50D-GE3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續電...
點擊查看SiHD5N50D-GE3參考圖片 SiHD5N50D-GE3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:30 V,漏極連續電...
點擊查看SIHD7N60E-E3參考圖片 SIHD7N60E-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,漏極連續電流:7 A,電阻汲極/源極...
點擊查看SIHD7N60E-GE3參考圖片 SIHD7N60E-GE3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 169 MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:4 V,漏極連續電流...
點擊查看SIHD7N60ET-GE3參考圖片 SIHD7N60ET-GE3 Vishay/Siliconix DPAK (TO-252) MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:600 V,閘/源擊穿電壓:4 V,漏極連續電流...

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