(2012/1/25 0:24:00)
1．微處理器集成電路的檢測 微處理器集成電路的關鍵測試引腳是VDD電源端、RESET復位端、XIN晶振信號輸入端、XOUT晶振信號輸出端及其他各線輸入、輸出端。在路測量這些關鍵腳對地的電阻值和電壓值，看是否與正常值（可從產品電路圖或有關維修資料中查出）相同。不同型號微處理器的RESET復位電壓也不相...
(2012/1/25 0:19:00)
激光二極管性能檢測方法激光二極管性能檢測方法1．阻值測量法 拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極...
(2012/1/25 0:14:00)
一種測量光耦傳輸特性的方法一種測量光耦傳輸特性的方法光電耦合器由發光二極管和受光三極管封裝組成。如光電耦合器４Ｎ２５，采用ＤＩＰ－６封裝，共六個引腳，①、②腳分別為陽、陰極，③腳為空腳，④、⑤、⑥腳分別為三極管的ｅ、ｃ、ｂ極。以往用萬用表測光耦時，只分別檢測判斷發光二極管和受光三極管的好壞，對光耦的...
(2012/1/25 0:09:00)
用萬用表測電容的幾種方法用萬用表測電容的幾種方法在家電維修過程中，因電容漏電或容量變化而引發的故障可謂屢見不鮮且故障現象各異。一般的指針萬用表和部分數字萬用表都無法測量電容，特別是那些小電容，給維修造成很大的不便。在此，我給大家介紹幾種小容量電容的測量方法，供參考。方法l：找一個β≥...
(2012/1/25 0:04:00)
高壓硅堆檢測方法高壓硅堆檢測方法 高壓硅堆內部是由多只高壓整流二極管（硅粒）串聯組成，檢測時，可用萬用表的R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆，其正向電阻值大于200kΩ，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值，則說明該高壓硅堆已軟擊穿損壞。 另一種方...
(2012/1/24 0:53:00)
變阻二極管檢測方法變阻二極管檢測方法 用萬用表R×10k檔測量變阻二極管的正、反向電阻值，正常的高頻變阻二極管的正向電阻值（黑表筆接正極時）為4.5~6kΩ，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向電阻值均很小或均為無窮大，則說明被測變阻二極管已損壞。...
(2012/1/24 0:48:00)
雙基極二極管的檢測方法1．電極的判別將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆測量雙基極二極管三個電極中任意兩個電極間的正反向電阻值，會測出有兩個電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ，這兩個電極即是基極B1和基極B2，另一個電極即是發射極E。再將黑表筆接發射極E，用紅表筆依次去接觸...
(2012/1/24 0:43:00)
肖特基二極管的檢測方法肖特基二極管的檢測方法 二端型肖特基二極管可以用萬用表R×1檔測量。正常時，其正向電阻值（黑表筆接正極）為2.5~3.5Ω，投向電阻值為無窮大。若測得正、反電阻值均為無窮大或均接近0，則說明該二極管已開路或擊穿損壞。 三端型肖特基二極管應先測出其...
(2012/1/24 0:38:00)
雙向可控硅測試方法雙向可控硅測試方法雙向晶閘管除了一個電極G仍然叫控制極外，另外兩個電極通常不再叫陽極和陰極，而統稱為主電極T1和T2。雙向晶閘管是一種N-P-N-P-N型5層結構的半導體，其符號和內部結構圖見圖1-1。 用萬用表區分雙向晶閘管電極的方法是：首先找出主電極T2。將萬用表置于R&tim...
(2012/1/24 0:33:00)
測量光電二極管好壞的三種方法測量光電二極管有以下三種方法。 （1）電阻測量法：用萬用表R×100或R×1K擋。像測普通二極管一樣，正向電阻應為10K左右，無光照射時，反向電阻應為∞，然后讓光電二極管見光，光線越強反向電阻應越小。光線特強時反向電阻可降到1K以下。這...
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