中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
上升時間:6.4 ns
功率耗散:1.1 W
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSSOP-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.024 Ohms
漏極連續電流:6 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPCS8211(TE12L,Q,M的詳細信息,包括TPCS8211(TE12L,Q,M廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!