中文參數如下:
工廠包裝數量:4000
上升時間:28 ns
功率耗散:1.7 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:57 ns
封裝形式:STP-4
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Common Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.031 Ohms
漏極連續電流:6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPCT4201(T2L,B,F)的詳細信息,包括TPCT4201(T2L,B,F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!