中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
上升時間:21 ns
功率耗散:1.1 W
下降時間:15 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSSOP-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.013 Ohms
漏極連續電流:6 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPCS8214(TE12L,Q)的詳細信息,包括TPCS8214(TE12L,Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!