TK58A06N1,S4X

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220SIS
數(shù)量：: 3430
說明：: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS

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TK58A06N1,S4X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：35W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3400 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：46 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5.4 毫歐 @ 29A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSVIII-H
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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