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中文參數(shù)如下:
功率耗散:35 W
柵極電荷 Qg:11 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :3 S
包裝形式:Tray
封裝形式:SC-67
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.5 Ohms
漏極連續(xù)電流:5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK5A50D(STA4,Q)的詳細信息,包括TK5A50D(STA4,Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!