中文參數如下:
工廠包裝數量:50
功率耗散:35 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Tray
封裝形式:TO-220SIS
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.5 Ohms at 10 V (Typ)
漏極連續電流:5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK5A50D(Q,M)的詳細信息,包括TK5A50D(Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!