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SPI80N06S2-08

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO262-3-1
數量：
 4257  
說明：
 MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
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SPI80N06S2-08 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫歐 @ 58A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：55V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 150µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：96nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：3800pF @ 25V
功率 - 最大：215W
安裝類型：通孔

以上是SPI80N06S2-08的詳細信息，包括SPI80N06S2-08廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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