SPI80N06S2L-05

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3-1
數(shù)量：: 4266
說明：: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

一、本商品被瀏覽0次.

SPI80N06S2L-05 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.8 毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：230nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：7530pF @ 25V
功率 - 最大：300W
安裝類型：通孔

以上是SPI80N06S2L-05的詳細(xì)信息，包括SPI80N06S2L-05廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：