三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SPI80N06S2L-11

SPI80N06S2L-11

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3-1
數量：: 4275
說明：: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

一、本商品被瀏覽0次.

SPI80N06S2L-11 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 毫歐 @ 40A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：55V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 93µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：80nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：2650pF @ 25V
功率 - 最大：158W
安裝類型：通孔

以上是SPI80N06S2L-11的詳細信息，包括SPI80N06S2L-11廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：