SI4100DY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 11724
說明：: MOSFET 100V 6.8A 6.0W

一、本商品被瀏覽0次.

SI4100DY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI4100DY-E3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：12 ns, 15 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：12 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.063 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4100DY-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI4100DY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：