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SI4108DY-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 8-SOIC
數量：
 2574  
說明：
 MOSFET 75V 20.5A 7.8W 9.8mohm @ 10V
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SI4108DY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4108DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4108DY-GE3
典型關閉延遲時間：22 ns, 23 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：12 ns, 11 ns
功率耗散：3.6 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns, 9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0098 Ohms
漏極連續(xù)電流：13.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4108DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4108DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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