SI4100DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 5032
說(shuō)明：: MOSFET 100V 6.8A 6.0W 63mohm @ 10V

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SI4100DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI4100DY-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：12 ns, 15 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.063 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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