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IRF6665TR1PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 DIRECTFET? SH
數(shù)量:
 3456  
說明:
 MOSFET MOSFT 100V 62mOhm 19A 8.7nC Qg for Aud
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IRF6665TR1PBF-DIRECTFET? SH圖片

IRF6665TR1PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:2.8 ns
功率耗散:42 W
柵極電荷 Qg:8.7 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :6.6 S
下降時間:4.3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Direct-FET SH
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):62 mOhms
漏極連續(xù)電流:4.2 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF6665TR1PBF的詳細信息,包括IRF6665TR1PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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