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IRF6668TR1

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 DirectFET? 等容 MZ
數(shù)量：
 4716  
說明：
 MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
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IRF6668TR1-DirectFET? 等容 MZ圖片

IRF6668TR1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：7.1 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：13 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 40 C
下降時間：23 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MZ
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：15 m Ohms
漏極連續(xù)電流：55 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6668TR1的詳細信息，包括IRF6668TR1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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