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IRF6674TR1PBF

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 DirectFET? 等容 MZ
數(shù)量：
 3564  
說明：
 MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg
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IRF6674TR1PBF-DirectFET? 等容 MZ圖片

IRF6674TR1PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：12 ns
功率耗散：89 W
柵極電荷 Qg：24 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：16 S
下降時間：8.7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MZ
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9 mOhms
漏極連續(xù)電流：67 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6674TR1PBF的詳細信息，包括IRF6674TR1PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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