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CSD86311W1723

廠家：
  Texas Instruments
封裝：
 12-DSBGA
數量：
 90  
說明：
 MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET
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CSD86311W1723-12-DSBGA圖片

CSD86311W1723 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：13.2 ns
商標名：NexFET
工廠包裝數量：3000
上升時間：4.3 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：3.1 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：6.4 S
下降時間：2.9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WCSP-12
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：29 mOhms
漏極連續電流：4.5 A
閘/源擊穿電壓：10 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD86311W1723的詳細信息，包括CSD86311W1723廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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