
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
典型關閉延遲時間:9.4 ns, 9.1 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數量:2500
上升時間:6.8 ns, 7.5 ns
功率耗散:6 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:4.8 nC, 9.6 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :76 S / 51 S
下降時間:1.7 ns, 1.6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
漏極連續電流:20 A
閘/源擊穿電壓:2.1 V, 1.15 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments
以上是CSD87330Q3D的詳細信息,包括CSD87330Q3D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!