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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:7.4 ns, 11.2 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數量:2500
上升時間:4.5 ns, 4.7 ns
功率耗散:6 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:2.7 nC, 6.4 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :48 S / 26 S
下降時間:1.3 ns, 2.4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
漏極連續電流:15 A
閘/源擊穿電壓:2.1 V, 1.2 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments
以上是CSD87331Q3D的詳細信息,包括CSD87331Q3D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!