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中文參數如下:
工廠包裝數量:50
功率耗散:125 W
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :25 S
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.028 Ohms
漏極連續電流:35 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:70 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是VNP35N07的詳細信息,包括VNP35N07廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!