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中文參數如下:
工廠包裝數量:50
功率耗散:31 W
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :4 S
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.2 Ohms
漏極連續電流:5 A
汲極/源極擊穿電壓:70 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是VNP5N07-E的詳細信息,包括VNP5N07-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!