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US6K4TR

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TUMT6
數(shù)量：: 28786
說明：: MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A

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US6K4TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20 ns
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.8 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：1.6 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TUMT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：130 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.5 A
閘/源擊穿電壓：10 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是US6K4TR的詳細(xì)信息，包括US6K4TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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