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US6M11TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TUMT6
數量：: 23766
說明：: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6

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中文參數如下：

FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫歐 @ 1.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V, 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：1.5A, 1.3A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1.8nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：110pF @ 10V
功率 - 最大：700mW
安裝類型：表面貼裝

以上是US6M11TR的詳細信息，包括US6M11TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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