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TPN14006NH,L1Q

廠家:
  Toshiba
封裝:
 8-TSON Advance(3.1x3.1)
數量:
 4104  
說明:
 MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W
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TPN14006NH,L1Q-8-TSON Advance(3.1x3.1)圖片

TPN14006NH,L1Q PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:18 ns
上升時間:9 ns
功率耗散:30 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:15 nC
下降時間:5.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSON-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):11 mOhms
漏極連續電流:33 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

以上是TPN14006NH,L1Q的詳細信息,包括TPN14006NH,L1Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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