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TPN22006NH,LQ

廠家：
  Toshiba
封裝：
 8-PowerVDFN
數量：
 4158  
說明：
 MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC
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TPN22006NH,LQ-8-PowerVDFN圖片

TPN22006NH,LQ PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：13 ns
上升時間：4.6 ns
功率耗散：18 W
柵極電荷 Qg：12 nC
下降時間：3.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSON-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：18 mOhms
漏極連續電流：21 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TPN22006NH,LQ的詳細信息，包括TPN22006NH,LQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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