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中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
上升時間:11 ns
功率耗散:1.9 W
下降時間:110 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.006 Ohms
漏極連續電流:13 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPC8112(TE12L,Q)的詳細信息,包括TPC8112(TE12L,Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!