中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
上升時間:5 ns
功率耗散:1.9 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.03 Ohms
漏極連續電流:7.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 40 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPC8116-H(TE12LQ,M的詳細信息,包括TPC8116-H(TE12LQ,M廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!