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TK10E60W,S1VX

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-220-3
數量：: 6768
說明：: MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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TK10E60W,S1VX PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：75 ns
上升時間：22 ns
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：20 nC
下降時間：5.5 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.38 Ohms
漏極連續電流：9.7 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TK10E60W,S1VX的詳細信息，包括TK10E60W,S1VX廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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