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TK10P60W,RVQ

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：: 17846
說明：: MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

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TK10P60W,RVQ-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

TK10P60W,RVQ PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：75 ns
上升時間：22 ns
功率耗散：80 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：20 nC
下降時間：5.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.38 Ohms
漏極連續電流：9.7 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TK10P60W,RVQ的詳細信息，包括TK10P60W,RVQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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