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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:22 ns
工廠包裝數量:2000
上升時間:30 ns
功率耗散:3 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:55 ns
包裝形式:Ammo
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):16 Ohms
漏極連續電流:0.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STQ1NK80ZR-AP的詳細信息,包括STQ1NK80ZR-AP廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!