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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:23.5 ns
上升時間:8.5 ns
功率耗散:2.5 W
柵極電荷 Qg:12 nC
下降時間:21 ns
包裝形式:Ammo
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.5 Ohms
漏極連續電流:0.6 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics
以上是STQ2LN60K3-AP的詳細信息,包括STQ2LN60K3-AP廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!