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中文參數(shù)如下: 零件號(hào)別名:SIRA12DP-GE3 功率耗散:31 W 最小工作溫度:- 55 C 包裝形式:Reel 封裝形式:PowerPAK SO-8 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):4.3 mOhms at 10 V 漏極連續(xù)電流:25 A 閘/源擊穿電壓:2.2 V 汲極/源極擊穿電壓:30 V 晶體管極性:N-Channel RoHS:是 產(chǎn)品種類:MOSFET 制造商:Vishay