SIRA20BDP-T1-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 17958
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

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SIRA20BDP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：PowerPAK? SO-8
封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：6.3W（Ta），104W（Tc）
頻率 - 開(kāi)關(guān)：-
電流 - 輸出：9950 pF @ 15 V
電壓 - 輸出（最大值）：+16V，-12V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：186 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：2.1V @ 250μA
電壓 - 輸入（最小值）：0.58 毫歐 @ 20A，10V
輸出數(shù)：-
輸出類型：82A（Ta），335A（Tc）
拓?fù)洌?5 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：TrenchFET? Gen IV
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

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