SIA421DJ-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK SC-70-6L
數量：: 5967
說明：: MOSFET 30V 12A 19W

一、本商品被瀏覽0次.

SIA421DJ-T1-E3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SIA421DJ-E3
典型關閉延遲時間：25 ns, 30 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：110 ns, 12 ns
功率耗散：3.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6L
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：35 mOhms
漏極連續電流：7.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA421DJ-T1-E3的詳細信息，包括SIA421DJ-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：