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SIA433EDJ-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK? SC-70-6
數量：
 1521  
說明：
 MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III
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SIA433EDJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6圖片

SIA433EDJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIA433EDJ-GE3
典型關閉延遲時間：6 us
上升時間：1.7 us
功率耗散：19 W
柵極電荷 Qg：50 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：35 S
下降時間：3.2 us
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6L Single
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：18 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：- 12 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA433EDJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA433EDJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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