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SI4554DY-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 8-SOIC
數(shù)量：
 846  
說明：
 MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
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SI4554DY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4554DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：17 ns, 40 ns
上升時間：12 ns, 40 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.5 nC, 21.7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：27 S, 25 S
下降時間：7 ns, 18 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.024 Ohms, 0.027 Ohms
漏極連續(xù)電流：6.8 A, - 6.6 A
汲極/源極擊穿電壓：40 V, - 40 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4554DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4554DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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