三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI4559EY

SI4559EY

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 2475
說明：: MOSFET 60V 4.5/3.1A

一、本商品被瀏覽0次.

SI4559EY PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：36 ns, 12 ns
工廠包裝數(shù)量：100
上升時(shí)間：11 ns, 10 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：11 ns, 35 ns
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：55 mOhms, 120 mOhms
漏極連續(xù)電流：4.5 A, 3.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI4559EY的詳細(xì)信息，包括SI4559EY廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：